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韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）1月28日宣布，該校電氣電子工程系金相鉉教授的研究團(tuán)隊(duì)，與仁荷大學(xué)金相鉉教授團(tuán)隊(duì)合作，并聯(lián)合QSI、Laontech兩家企業(yè)，成功開發(fā)出一種超高分辨率紅色MicroLED顯示技術(shù)，該技術(shù)可顯著降低設(shè)備功耗。

研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了1700 PPI的超高分辨率MicroLED顯示屏，其分辨率約為當(dāng)前最新智能手機(jī)顯示屏的3至4倍。借助該技術(shù)，即便應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）設(shè)備，也能呈現(xiàn)出“逼真的圖像效果”，徹底擺脫傳統(tǒng)高分辨率屏幕常見的視覺瑕疵。

Micro LED是一種像素自身可發(fā)光的顯示技術(shù)。相較于OLED技術(shù)，它具備更高亮度、更長使用壽命及更高能效的優(yōu)勢，但同時(shí)面臨兩大核心挑戰(zhàn)，即紅色LED的低發(fā)光效率與器件傳輸工藝的局限性。

此次研究團(tuán)隊(duì)成功攻克了這兩大難題。首先，該團(tuán)隊(duì)采用磷化鋁銦/磷化鎵銦（AlInP/GaInP）量子阱結(jié)構(gòu)，研發(fā)出高效紅色MicroLED，即便將像素尺寸縮小，其能量損失也幾乎為零。

量子阱技術(shù)的核心原理是通過構(gòu)建能量勢壘，將電子束縛在特定發(fā)光區(qū)域內(nèi)防止逃逸。這一特性使得即便像素尺寸縮小，也能有效減少能量損耗，進(jìn)而制造出亮度更高、能效更優(yōu)的紅色MicroLED。

此外，團(tuán)隊(duì)并未采用傳統(tǒng)的逐個(gè)轉(zhuǎn)移LED的加工方式，而是創(chuàng)新應(yīng)用單片3D集成技術(shù)，將整個(gè)LED層直接堆疊在驅(qū)動(dòng)電路之上。這種技術(shù)方案可有效降低器件對準(zhǔn)誤差與缺陷率，為超高分辨率顯示器的穩(wěn)定量產(chǎn)提供了可能。同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)還掌握了低溫加工技術(shù)，避免了加工過程中驅(qū)動(dòng)電路受損的問題。

該研究成果具有重要意義，它首次證實(shí)了超高分辨率紅色MicroLED顯示屏（業(yè)界公認(rèn)實(shí)現(xiàn)難度最高的MicroLED技術(shù)方向）的可行性。預(yù)計(jì)這項(xiàng)技術(shù)將廣泛應(yīng)用于各類下一代顯示場景，包括對屏幕噪點(diǎn)要求近乎嚴(yán)苛的AR/VR智能眼鏡、車載抬頭顯示器（HUD）以及超小型可穿戴設(shè)備等。

仁荷大學(xué)金相鉉教授表示，這項(xiàng)研究同時(shí)解決了MicroLED領(lǐng)域長期存在的紅色像素效率偏低與驅(qū)動(dòng)電路集成難度大兩大痛點(diǎn)。