近日，鴻石智能正式發布新一代彩色Micro LED光機平臺——“云錦”。繼上一代3.75μm技術平臺之后，鴻石智能再次向更高密度邁進，將像素間距推進至2.4μm，標志著其再次向物理極限發起沖擊的重要里程碑。

2.4μm：逼近物理極點，重塑彩色顯示性能底線

在Micro LED微顯示體系中，像素間距（Pixel Pitch）是決定性能上限的核心變量之一，也是所有顯示性能釋放的起點。

鴻石智能選擇2.4μm作為云錦平臺的起點，并非單純追求尺寸縮小，而是基于對光學衍射極限與光子激發效率之間平衡關系的深入理解。2.4μm是微縮工藝在跨越波長衍射極限與保持光子激發效率之間的“物理平衡原點”。低于此點，亞微米級的物理挑戰將導致光效斷崖式下跌；而鴻石通過技術攻關，恰恰是在緊貼物理懸崖的邊緣，鎖定了這個性能極點。

從3.75μm跨越至2.4μm，帶來了一系列連鎖性能提升：

·10583 PPI像素密度：實現萬級像素陣列，大幅降低畫面顆粒感，提升沉浸體驗；

·紅色發光效率突破：在極小尺寸下攻克紅光效率難題，外量子效率（EQE）超過5%，實現更均衡的全彩顯示；

·32 PPD角分辨率：將高PPI轉化為接近人眼極限的視覺清晰度；

·MTF > 0.6：在高空間頻率下保持優異調制傳遞函數表現，使高密度像素真正轉化為清晰銳利的成像質量；

·VGA（640×480）分辨率：滿足AI多模態交互場景對信息承載能力的基本要求，為AR設備成為“個人AI入口”提供顯示基礎；

·0.16cc體積：將上述性能集成于極小空間內，實現目前全球最小VGA彩色MicroLED光機，兼顧性能與佩戴舒適性。

HB²混合鍵合：邁入2.4μm時代的關鍵技術支點

當像素尺寸進入2.4μm區間，傳統微觸點工藝逐漸逼近物理極限，短路風險、功耗上升與散熱瓶頸等問題愈發突出。

針對這一挑戰，鴻石智能提出HB²（Hongshi Base × Hybrid Bonding，鴻石基座混合鍵合技術）混合鍵合技術，通過銅-銅原子級直接鍵合，實現驅動電路與Micro LED發光陣列的深度嵌合。

圖1

相較傳統互連方式，HB²不僅減少結構占用空間，還具備更低電阻與更優散熱性能，從而支撐10583 PPI所帶來的超高帶寬信號傳輸需求。可以說，在HB²的支撐下，2.4μm從實驗室概念走向工程化落地成為可能。

超表面（Metasurface）：從光路設計走向光場編程

在完成電學與結構集成的同時，鴻石智能在光學層面引入超表面（Metasurface）技術，對傳統光學路徑進行重構。該技術通過對光場進行的“數字化編程”實現光的方向性的深度調制，極大提高了外量子效率(EQE)，進而提升整體出光效率。其核心價值體現在：

納米尺度操控：通過在亞波長尺度上排列成千上萬個微納結構單元，實現了對光波相位、振幅、偏振及傳播方向的精準調控。

光路重構：這種“編程”能力可以自由引導每一束光的走向，將MicroLED每一個像素散發的光能精準匯聚、耦合，在極小空間內爆發出驚人的光效表現。

系統級增益：超表面技術讓光學模組徹底告別了厚重的鏡片堆疊，它是實現0.16cc 極小體積與高亮度顯示平衡的關鍵。

據稱，鴻石智能是全球首家將超表面技術帶向Micro LED微顯示前沿的公司。在該技術加持下，云錦平臺實現了0.16cc體積與高亮度輸出之間的平衡。同時，超表面也被視為未來實現高保真3D顯示的重要基礎技術。

畫質引擎算法：釋放硬件潛能的關鍵一環

在硬件性能持續提升的同時，鴻石智能強調系統級協同的重要性，并為云錦平臺配套自研畫質引擎算法。

該算法針對彩色Micro LED發光特性進行像素級的優化，通過增益調節與色彩補償，不僅彌補微型化帶來的物理限制，還進一步強化顯示效果，使10583 PPI的優勢能夠轉化為肉眼可感知的畫質提升。

在HB²低阻抗架構與算法協同作用下，云錦平臺典型功耗控制在90mW，實現高性能與低功耗之間的平衡。這也意味著，即使在高負載運行狀態下，系統仍能保持較高能效表現。

此外，HB²與超表面技術并非僅服務于云錦平臺，而是已成為鴻石智能全線產品的底層技術能力，推動整體產品體系的持續升級。

結語：Micro LED邁入系統級競爭階段

“云錦”平臺的發布，標志著Micro LED微顯示技術的競爭邏輯正在發生變化——從單一指標比拼，轉向顯示、光學與算法協同優化的系統級競爭。

對于AR終端而言，這一平臺不僅帶來更高分辨率與更優畫質，同時也為設備輕量化設計提供支持：2.4μm像素與HB²技術提升顯示能力，0.16cc體積與超表面技術則推動產品形態進一步優化。

從3.75μm到2.4μm，鴻石智能持續推進像素微縮進程。在逼近物理極限的過程中，其也在不斷重塑Micro LED微顯示的性能邊界與應用可能性。